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BYQ28E(F,B)-100 thru BYQ28E(F,B)-200, UG(F,B)10BCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88549
Revision: 07-Jan-08
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3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
0
5
15
0
50
100
150
10
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
1
10
100
1
100
10
TC
= 105 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
100
10
1
0.1
0.01
0.2 0.4 0.0.6 1.0 1.28
1.4
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
1
10
100
1000
0.1
0 10020
40 60
80
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
0
50
25
50 75
100
125
10
20
30
Stored Charge/Re
v
erse Reco
v
ery Time
(nC/ns)
40
Junction Temperature (°C)
trr
Qrr
at 2 A, 20 A/μs
at 5 A, 50 A/μs
at 1 A, 100 A/μs
at 5 A, 50 A/μs
at 1 A, 100 A/μs
at 2 A, 20 A/μs
100
10
100
1
0.1 1 10
TJ
= 125 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
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